KATEGORİLER

Vishay Siliconix SISS61DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK

Üretici Kodu: SISS61DN-T1-GE3

Üretici: Vishay Siliconix

Tedarikçi: Global

Tedarik Süresi: 7-10 İŞ GÜNÜ

Stok Durumu: 5239

Fiyat:$1,65

5239 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$1,65
1 - 9
$1,79
10 - 99
$1,13
100 - 499
$0,75
500 - 999
$0,59
1000+
$0,54
× Vishay Siliconix SISS61DN-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET® Gen III
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 231 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8740 pF @ 10 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8S
Package / Case PowerPAK® 1212-8S
Base Product Number SISS61

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SISS61DN-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.