KATEGORİLER

Vishay Siliconix SIR638DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

Fiyat:$1,81

6255 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$1,81
1 - 9
$2,80
10 - 99
$1,80
100 - 499
$1,23
500 - 999
$0,98
1000+
$0,96
× Vishay Siliconix SIR638DP-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 204 nC @ 10 V
Vgs (Max) +20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10500 pF @ 20 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Package / Case PowerPAK® SO-8
Base Product Number SIR638

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SIR638DP-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.