KATEGORİLER

Vishay Siliconix SIR510DP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

Fiyat:$2,57

2636 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$2,57
1 - 9
$3,50
10 - 99
$2,27
100 - 499
$1,57
500+
$1,30
× Vishay Siliconix SIR510DP-T1-RE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET® Gen V
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Ta), 126A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4980 pF @ 50 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Package / Case PowerPAK® SO-8

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SIR510DP-T1-RE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.