KATEGORİLER

Vishay Siliconix SIR416DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Fiyat:$1,89

1968 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$1,89
1 - 9
$2,23
10 - 99
$1,42
100 - 499
$0,96
500 - 999
$0,76
1000+
$0,70
× Vishay Siliconix SIR416DP-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 20 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Package / Case PowerPAK® SO-8
Base Product Number SIR416

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SIR416DP-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.