KATEGORİLER

Vishay Siliconix SIA456DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70

Fiyat:$0,86

11805 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$0,86
1 - 9
$1,70
10 - 99
$1,08
100 - 499
$0,72
500 - 999
$0,56
1000+
$0,51
× Vishay Siliconix SIA456DJ-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 100 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Base Product Number SIA456

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SIA456DJ-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.