KATEGORİLER

Vishay Siliconix SIA416DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK

Fiyat:$0,49

1912 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$0,49
1 - 9
$1,28
10 - 99
$0,80
100 - 499
$0,52
500 - 999
$0,40
1000+
$0,37
× Vishay Siliconix SIA416DJ-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 50 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Base Product Number SIA416

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SIA416DJ-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.