KATEGORİLER

Vishay Siliconix SI4459BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO

Fiyat:$1,73

6072 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$1,73
1 - 9
$2,02
10 - 99
$1,28
100 - 499
$0,86
500 - 999
$0,68
1000+
$0,62
× Vishay Siliconix SI4459BDY-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET® Gen IV
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V
Vgs (Max) +20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3490 pF @ 15 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-SO
Package / Case 8-SOIC (0.154″, 3.90mm Width)
Base Product Number SI4459

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SI4459BDY-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.