KATEGORİLER

Vishay Siliconix SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO

Fiyat:$1,87

27384 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$1,87
1 - 9
$2,19
10 - 99
$1,39
100 - 499
$0,94
500 - 999
$0,74
1000+
$0,68
× Vishay Siliconix SI4100DY-T1-E3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 50 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-SOIC
Package / Case 8-SOIC (0.154″, 3.90mm Width)
Base Product Number SI4100

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SI4100DY-T1-E3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.