KATEGORİLER

Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3

P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1

Fiyat:$0,72

30639 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$0,72
1 - 9
$0,72
10 - 99
$0,45
100 - 499
$0,29
500 - 999
$0,22
1000+
$0,19
× Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET® Gen IV
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 164mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.2 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 395 pF @ 40 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.