KATEGORİLER

Vishay Siliconix SI2369BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23

Fiyat:$0,71

9966 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$0,71
1 - 9
$0,76
10 - 99
$0,47
100 - 499
$0,30
500 - 999
$0,23
1000+
$0,20
× Vishay Siliconix SI2369BDS-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET® Gen IV
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) +16V, -20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 745 pF @ 15 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number SI2369

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SI2369BDS-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.