KATEGORİLER

Vishay Siliconix SI2333DDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3

Fiyat:$0,67

20458 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$0,67
1 - 9
$0,78
10 - 99
$0,48
100 - 499
$0,31
500 - 999
$0,23
1000+
$0,21
× Vishay Siliconix SI2333DDS-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 8 V
Vgs (Max) ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1275 pF @ 6 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number SI2333

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SI2333DDS-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.