KATEGORİLER

Vishay Siliconix SI2312CDS-T1-BE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Fiyat:$0,63

16612 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$0,63
1 - 9
$0,81
10 - 99
$0,50
100 - 499
$0,32
500 - 999
$0,24
1000+
$0,22
× Vishay Siliconix SI2312CDS-T1-BE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta), 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 865 pF @ 10 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SI2312CDS-T1-BE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.