KATEGORİLER

Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Fiyat:$1,01

7882 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$1,01
1 - 9
$1,01
10 - 99
$0,63
100 - 499
$0,41
500 - 999
$0,31
1000+
$0,28
× Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number SI2312

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.