KATEGORİLER

Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Fiyat:$0,62

9113 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$0,62
1 - 9
$1,03
10 - 99
$0,65
100 - 499
$0,42
500 - 999
$0,32
1000+
$0,29
× Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-E3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.16A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 305 pF @ 15 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number SI2306

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-E3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.