KATEGORİLER

Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP

Fiyat:$3,68

18965 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$3,68
1 - 9
$4,30
10 - 99
$2,81
100 - 499
$1,97
500+
$1,73
× Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL,L1Q
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Series U-MOSIX-H
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 260A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.29mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8100 pF @ 30 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Operating Temperature 175°C
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-DSOP Advance
Package / Case 8-PowerVDFN
Base Product Number TPW1R306

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL,L1Q” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.