KATEGORİLER

Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

MOSFET P-CH 60V 8A DPAK

Fiyat:$2,08

833 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$2,08
1 - 9
$2,12
10 - 99
$1,34
100 - 499
$0,90
500 - 999
$0,71
1000+
$0,65
× Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Series U-MOSVI
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Vgs (Max) +10V, -20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 10 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 27W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package DPAK+
Package / Case TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number TJ8S06

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L(T6L1,NQ)” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.