KATEGORİLER

Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB

SICFET N-CH 1700V 4A TO268

Fiyat:$8,47

244 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$8,47
1 - 9
$8,47
10+
$5,73
× Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Rohm Semiconductor
Series
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 410µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 18 V
Vgs (Max) +22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 184 pF @ 800 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 44W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-268
Package / Case TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Base Product Number SCT2H12

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.