KATEGORİLER

Renesas Electronics Corporation TP65H150G4LSG

GAN FET N-CH 650V PQFN

Fiyat:$5,95

2389 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$5,95
1 - 9
$5,95
10 - 99
$5,34
100 - 499
$4,37
500 - 999
$3,72
1000+
$3,14
× Renesas Electronics Corporation TP65H150G4LSG
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Renesas Electronics Corporation
Series
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 598 pF @ 400 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 52W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 3-PQFN (8×8)
Package / Case 3-PowerTDFN
Base Product Number TP65H150

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Renesas Electronics Corporation TP65H150G4LSG” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.