KATEGORİLER

GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E

DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522

Fiyat:$5,26

4300 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$5,26
1 - 9
$5,26
10 - 24
$4,00
25 - 99
$3,68
100 - 249
$3,33
250 - 499
$3,17
500 - 999
$3,06
1000+
$2,98
× GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr GeneSiC Semiconductor
Series SiC Schottky MPS™
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage – DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Current – Average Rectified (Io) 29A
Voltage – Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 10 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current – Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F 367pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package TO-252-2
Operating Temperature – Junction -55°C ~ 175°C

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.