KATEGORİLER

Vishay Siliconix SISH536DN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

Üretici Kodu: SISH536DN-T1-GE3

Üretici: Vishay Siliconix

Tedarikçi: Global

Tedarik Süresi: 7-10 İŞ GÜNÜ

Fiyat:$1,06

Stokta yok

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET® Gen V
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Vgs (Max) +16V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 15 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8SH
Package / Case PowerPAK® 1212-8SH

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SISH536DN-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.