KATEGORİLER

Vishay Siliconix SIS892DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

Üretici Kodu: SIS892DN-T1-GE3

Üretici: Vishay Siliconix

Tedarikçi: Global

Tedarik Süresi: 7-10 İŞ GÜNÜ

Stok Durumu: 844

Fiyat:$1,94

844 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$1,94
1 - 9
$2,51
10 - 99
$1,61
100 - 499
$1,09
500 - 999
$0,87
1000+
$0,83
× Vishay Siliconix SIS892DN-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 611 pF @ 50 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Base Product Number SIS892

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SIS892DN-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.