KATEGORİLER

Vishay Siliconix SIS435DNT-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8

Üretici Kodu: SIS435DNT-T1-GE3

Üretici: Vishay Siliconix

Tedarikçi: Global

Tedarik Süresi: 7-10 İŞ GÜNÜ

Stok Durumu: 187

Fiyat:$0,73

187 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$0,73
1 - 9
$1,37
10 - 99
$0,86
100 - 499
$0,57
500 - 999
$0,44
1000+
$0,40
× Vishay Siliconix SIS435DNT-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 8 V
Vgs (Max) ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 10 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Base Product Number SIS435

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SIS435DNT-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.