KATEGORİLER

Vishay Siliconix SIS412DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

Üretici Kodu: SIS412DN-T1-GE3

Üretici: Vishay Siliconix

Tedarikçi: Global

Tedarik Süresi: 7-10 İŞ GÜNÜ

Stok Durumu: 23681

Fiyat:$0,76

23681 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$0,76
1 - 9
$1,12
10 - 99
$0,70
100 - 499
$0,45
500 - 999
$0,35
1000+
$0,32
× Vishay Siliconix SIS412DN-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 435 pF @ 15 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Base Product Number SIS412

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SIS412DN-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.