KATEGORİLER

Vishay Siliconix SIS176LDN-T1-GE3

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE

Üretici Kodu: SIS176LDN-T1-GE3

Üretici: Vishay Siliconix

Tedarikçi: Global

Tedarik Süresi: 7-10 İŞ GÜNÜ

Stok Durumu: 8349

Fiyat:$1,42

8349 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$1,42
1 - 9
$1,70
10 - 99
$1,08
100 - 499
$0,72
500 - 999
$0,56
1000+
$0,51
× Vishay Siliconix SIS176LDN-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET® Gen IV
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 70 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3.3V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1660 pF @ 35 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Package / Case PowerPAK® 1212-8

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SIS176LDN-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.