KATEGORİLER

Vishay Siliconix SIS110DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK

Üretici Kodu: SIS110DN-T1-GE3

Üretici: Vishay Siliconix

Tedarikçi: Global

Tedarik Süresi: 7-10 İŞ GÜNÜ

Stok Durumu: 18835

Fiyat:$1,00

18835 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$1,00
1 - 9
$1,22
10 - 99
$0,76
100 - 499
$0,50
500 - 999
$0,38
1000+
$0,35
× Vishay Siliconix SIS110DN-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET® Gen IV
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 50 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Base Product Number SIS110

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SIS110DN-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.