KATEGORİLER

Vishay Siliconix SIR882DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Üretici Kodu: SIR882DP-T1-GE3

Üretici: Vishay Siliconix

Tedarikçi: Global

Tedarik Süresi: 7-10 İŞ GÜNÜ

Stok Durumu: 3665

Fiyat:$3,20

3665 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$3,20
1 - 9
$3,80
10 - 99
$2,47
100 - 499
$1,71
500+
$1,46
× Vishay Siliconix SIR882DP-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1930 pF @ 50 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Package / Case PowerPAK® SO-8
Base Product Number SIR882

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SIR882DP-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.