KATEGORİLER

Vishay Siliconix SIDR5802EP-T1-RE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET

Üretici Kodu: SIDR5802EP-T1-RE3

Üretici: Vishay Siliconix

Tedarikçi: Global

Tedarik Süresi: 7-10 İŞ GÜNÜ

Stok Durumu: 11563

Fiyat:$3,18

Stokta yok

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET® Gen V
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 34.2A (Ta), 153A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3020 pF @ 40 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8DC
Package / Case PowerPAK® SO-8
Base Product Number SIDR5802

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SIDR5802EP-T1-RE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.