KATEGORİLER

Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22(STA1,E,S)

IGBT 600V 50A TO-3P

Üretici Kodu: GT50JR22(STA1,E,S)

Üretici: Toshiba Semiconductor and Storage

Tedarikçi: Global

Tedarik Süresi: 7-10 İŞ GÜNÜ

Stok Durumu: 21

Fiyat:$7,68450

21 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$7,68450
1 - 24
$7,68450
25 - 99
$4,51435
100 - 499
$3,75812
500+
$3,20921
× Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22(STA1,E,S)
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Series
Packaging Tube
Part Status Active
IGBT Type
Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V
Current – Collector (Ic) (Max) 50 A
Current – Collector Pulsed (Icm) 100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
Power – Max 230 W
Switching Energy
Input Type Standard
Td (on/off) @ 25°C
Test Condition
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package TO-3P(N)

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22(STA1,E,S)” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir