KATEGORİLER

Vishay Siliconix SISS94DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK

Üretici Kodu: SISS94DN-T1-GE3

Üretici: Vishay Siliconix

Tedarikçi: Global

Tedarik Süresi: 7-10 İŞ GÜNÜ

Stok Durumu: 1858

Fiyat:$1,36

1858 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$1,36
1 - 9
$1,68
10 - 99
$1,06
100 - 499
$0,70
500 - 999
$0,55
1000+
$0,50
× Vishay Siliconix SISS94DN-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 100 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8S
Package / Case PowerPAK® 1212-8S
Base Product Number SISS94

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SISS94DN-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.