KATEGORİLER

Vishay Siliconix SI2392BDS-T1-GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT

Fiyat:$0,79

12064 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$0,79
1 - 9
$1,06
10 - 99
$0,66
100 - 499
$0,43
500 - 999
$0,33
1000+
$0,30
× Vishay Siliconix SI2392BDS-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET®
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta), 2.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 50 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number SI2392

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SI2392BDS-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.