KATEGORİLER

Vishay Siliconix SI2308CDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Fiyat:$0,48

229669 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$0,48
1 - 9
$0,61
10 - 99
$0,37
100 - 499
$0,24
500 - 999
$0,18
1000+
$0,16
× Vishay Siliconix SI2308CDS-T1-GE3
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Mfr Vishay Siliconix
Series TrenchFET® Gen IV
Packaging Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 144mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 30 V
FET Feature
Power Dissipation (Max) 1.6W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Qualification
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number SI2308

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Vishay Siliconix SI2308CDS-T1-GE3” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir

Bu alan güncellenecektir.

Bu alan güncellenecektir.