KATEGORİLER

Infineon Technologies DF200R12KE3HOSA1

IGBT MODULE 1200V 1040W

Üretici Kodu: DF200R12KE3HOSA1

Üretici: Infineon Technologies

Tedarikçi: Global

Tedarik Süresi: 7-10 İŞ GÜNÜ

Stok Durumu: 15

Fiyat:$116,98300

15 adet stokta

Miktar
Fiyat
<1
$116,98300
1 - 9
$123,93900
10+
$103,53160
× Infineon Technologies DF200R12KE3HOSA1
Miktar:

Açıklama

ÖZELLİK AÇIKLAMA
Manufacturer Infineon Technologies
Series
Packaging Tray
Part Status Active
IGBT Type
Configuration Single
Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
Power – Max 1040 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Current – Collector Cutoff (Max) 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14 nF @ 25 V
Input Standard
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 125°C
Mounting Type Chassis Mount
Package / Case Module
Supplier Device Package Module
Base Product Number DF200R12

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Infineon Technologies DF200R12KE3HOSA1” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir